四探针薄膜电阻（四探针法测试金属薄膜电阻率的原理）

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四探针法测试方阻通常采用四探针法测量膜电阻的方阻。四个探针接触电阻膜，排成一条直线，间距相等，约为1毫米。

方块电阻就是表面电阻率。可以四探针法直接测试薄膜的表面电阻率。计算公式：方块电阻（或表面电阻率）R = 532 V / I 。其中，V 是探针2-3 间的电位差；I 是探针1-4 间的电流。

探针头与导电薄膜接触的点越小越好。根据相关资料查询，探头由四根探针阻成，要求四根探针头部的距离相等。

1、知道薄膜厚度t ，用四探针测了电阻（方块电阻）R，则薄膜的电阻率=R * t 。

2、对于厚度为W（远小于长和宽）的薄半导体片，得到电阻率为ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系数。

3、四探针法测量电阻率有个非常大的优点，它不需要较准；有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法较准。

4、方块电阻就是表面电阻率。可以四探针法直接测试薄膜的表面电阻率。计算公式：方块电阻（或表面电阻率）R = 532 * V / I 。其中，V 是探针2-3 间的电位差； I 是探针1-4 间的电流。

四探针测试技术是用4根等间距配置的探针扎在半导体表面上，由恒流源给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I，然后测量出中间两根探针之间的电压V，就可以求出半导体的电阻率。

影响电阻或电阻率测试误差的五个主要因素，包括：环境温度和湿度、测试电压（电场强度）、测试时间、测试设备泄漏和外部干扰。a.环境温度和湿度典型材料的电阻值随着环境温度和湿度的增加而降低。

四探针法测量电阻率有个非常大的优点，它不需要较准；有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法较准。

可采用电流换向法，消除热电势引起的测量误差。导体长度L a.导体有点弯。

四探针法通常用来测量半导体的电阻率。四探针法测量电阻率有个非常大的优点，不需要校准；有时用别的方法测量电阻率时还用四探针法校准。四探针法同一电流状况下正反向电压所测得电阻率值不同需要通过施加激励电流检测电压。

1、四探针直接测得的是表面电阻（率），俗称方块电阻，这比万用表准些。万用表直接测得的是电阻，要换算电阻率还要其他参数。四探针是基于四电极法，四电极法的最大特点是可以消除探针和待测物质之间的接触电阻。两电极不行。

2、四探针测试技术，简称为四探针法，是测量半导体电阻率最常用的一种方法。

3、用四探针电阻仪可以测导电薄膜的方块电阻，如果知道薄膜厚度就可得导电薄膜的电阻率。

到此，以上就是小编对于四探针法测试金属薄膜电阻率的原理的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。