薄膜应变片电极（箔式应变片性能实验）

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1、应变片按结构可以分为分单片、直角片和应变花，以及特殊形状的；按材料分为金属式体型，比如丝式、箔式、薄膜型，半导体式体型，比如薄膜型、扩散型、外延型、PN结型；按使用环境分为高温、低温、高压、磁场、水下。

2、分类（1）丝绕式用电阻丝盘绕电阻片称为丝绕式电阻片，广泛使用的有半圆弯头平绕式，这种电阻片多用纸底和纸盖，价格低廉，适于实验室广泛使用，缺点是精度较差，横向效应系数较大。

3、应变片分类应变片的分类有很多种分法，比如按使用温度可分为常温应变计、中温应变计和高温应变计；按基底材料可分为酚醛基底应变计，薄膜基底应变计等。

4、应变片的分类有很多种分法，比如按使用温度可分为常温应变计、中温应变计和高温应变计；按基底材料可分为酚醛基底应变计，薄膜基底应变计等。

1、电容式传感器的工作原理基于电容这一物理量的变化，当被检测物理量丝毫变化时，有可能会导致相应的电容值发生变化，这种变化一般可通过实验或者计算来获得。因为其基于电容量的变化来进行物理量的检测。

2、差动电容式压力传感器：它的受压膜片电极位于两个固定电极之间，构成两个电容器。在压力的作用下一个电容器的容量增大而另一个则相应减小，测量结果由差动式电路输出。它的固定电极是在凹曲的玻璃表面上镀金属层而制成。

3、压力传感器的原理是将受力物体的应变转化为电信号输出，通过对电信号的处理和分析来得到被测物体的压力大小。常见的压力传感器有压阻式传感器、电容式传感器和压电式传感器等。

4、若根据结构与原理不同来划分，可分为：压阻式、压电式、电容式、应变式、振频式、光电式、超声式压力传感器等。压力传感器的应用：在液压系统中的应用：压力传感器在液压系统中主要是来完成力的闭环控制。

5、变面积式电容传感器的特点和工作原理特点（1）温度稳定性好电容式传感器的电容值一般与电极材料无关，这有利于选择温度系数低的材料，又因本身发热极小，影响稳定性甚微。而电阻传感器有铜损，易发热产生零漂。

6、电容器就是由两个相互不导通的金属板组成，两金属板称为电容器的极板，电容器极板之间有绝缘材料充填，也可以是空气。电容器的容量等于绝缘材料的介电常数乘以电容器极板的面积，再除于两极板之间的距离。

1、（1）丝绕式用电阻丝盘绕电阻片称为丝绕式电阻片，目前广泛使用的有半圆弯头平绕式，这种电阻片多用纸底和纸盖，价格低廉，适于实验室广泛使用，缺点是精度较差，横向效应系数较大。

2、半导体应变片有以下几种类型：1）体型半导体应变片这是一种将半导体材料硅或锗晶体按一定方向切割成的片状小条，经腐蚀压焊粘贴在基片上而成的应变片。

3、分类：金属电阻应变片和半导体电阻应变片组成：基片，就像主板一样，东西往上面放的电阻丝，一般采用直径为0.025mm左右的高电阻率合金制成，压电效应的核心。

4、电阻应变片在传感器测量转换电桥中有四种工作方式，分别是全桥、半桥、四分之一桥和八分之一桥。

5、应变式容器内液体重量传感器：监测液体重量；应变式加速度传感器：检测加速度大小（原理是当物体以加速度a运动时，其质量块受到相反的惯性力作用，通过传感器检测惯性力即可）；电子皮带秤上的力敏应变片。

1、实际测量时，在AB上接一工作应变计，而在BC上接温度补偿应变计。

2、半桥还好接错了有可能没有电压过去，不会损坏什么器件，要是全桥接错，那么就会有可能正极直接到负极了，二极管直接爆掉。应变片是一种本身电阻随应力变化而改变的传感器。

3、称重传感器四根线的接法是：红+接电源；黑+接电源；绿+接信号；白+接信号；接地的一般都是有单独的一根线（行内话称屏蔽线）。称重传感器实际上是一种将质量信号转变为可测量的电信号输出的装置。

4、该物安装方法如下：将8个应变片分别粘贴到测量对象上，然后使用专用粘合剂将应变片固定在测量对象上。选择适当的电阻应变片和相应的测量电路（即电桥），将应变片接入电桥的相应位置。

5、即应变仪的读数为εd =ε1（2）半桥双臂测量：电桥的两个桥臂AB和BC上均接工作应变片，CD和DA两个桥臂接应变仪内标准电阻。

6、一般要经过应变仪，再经有线或无线接入电脑，要有相应软件。

应变片通常指的是薄膜电阻应变片，它是一种电阻器件，能够将应变信号转换为电阻变化信号。应变片的电阻变化率与应变之间的关系一般是呈现线性关系的。

薄膜应变式压力传感器是一种常用的压力测量装置，它主要由薄膜应变计和信号处理电路组成。下面简述其工作原理及特点：工作原理薄膜应变式压力传感器利用薄膜材料在受力时发生微小形变的特性，将受到的压力转化为电信号输出。

应变片按材料分为金属式体型、丝式、箔式、薄膜型。

薄膜应力是什么薄膜应力其实就是指产生于薄膜相当于其基地的形变能。薄膜应力可以将其分为压应力和张应力两个部分。

简单的说是由于衬底和外延薄膜的晶格或者热膨胀系数失配引起的应变，如果衬底的晶格常数大于薄膜，则为张应变，反之为压应变。通过薄膜XRD相对于粉末材料晶面间距的变化可以定量的求出应变的大小。

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